RPP Penerapan Rangkaian Elektronika MOSFET
RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN
A.
IDENTITAS PROGRAM
PENDIDIKAN
Nama Sekolah : SMK NEGERI 1 KARAWANG
Mata
Pelajaran : Penerapan
Rangkaian Elektronika
Komp. Keahlian : Teknik
Elektronika Industri
Kelas/Semester : XI ( sebelas)
/ Semester 3
Tahun Pelajaran : 2019 / 2020
Alokasi
Waktu : 6
JP x 45 Menit
Pertemuan
Ke : 1
B.
KOMPETENSI INTI DAN KOMPETENSI DASAR
1.
Kompetensi Inti
a.
Pengetahuan
KI.3 : Memahami, menerapkan, menganalisis, dan mengevaluasi
tentang pengetahuan faktual, konseptual, operasional dasar, dan metakognitif
sesuai dengan bidang dan lingkup kerja Teknik Pemesinan pada tingkat teknis,
spesifik, detil, dan kompleks, berkenaan dengan ilmu pengetahuan, teknologi,
seni, budaya, dan humaniora dalam konteks pengembangan potensi diri sebagai
bagian dari keluarga, sekolah, dunia kerja, warga masyarakat nasional,
regional, dan internasional.
b.
Keterampilan
KI.4: Melaksanakan tugas spesifik dengan menggunakan alat, informasi, dan
prosedur kerja yang lazim dilakukan serta memecahkan masalah sesuai dengan bidang kerja Teknik Pemesinan.
Menampilkan kinerja
di bawah bimbingan dengan mutu dan kuantitas yang terukur sesuai dengan standar
kompetensi kerja. Menunjukkan
keterampilan menalar, mengolah, dan menyaji secara efektif, kreatif, produktif,
kritis, mandiri, kolaboratif, komunikatif, dan solutif dalam ranah abstrak
terkait dengan pengembangan dari yang dipelajarinya di sekolah, serta mampu
melaksanakan tugas spesifik di bawah pengawasan langsung.
Menunjukkan
keterampilan mempersepsi, kesiapan, meniru, membiasakan, gerak mahir,
menjadikan gerak alami dalam ranah konkret terkait dengan pengembangan dari
yang dipelajarinya di sekolah, serta mampu melaksanakan tugas spesifik di bawah
pengawasan langsung.
2.
Kompetensi Dasar
a.
KD pada KI Pengetahuan
3.1.
Menerapkan
komponen FET dan MOSFET sebagai penguat daya
b.
KD pada KI Keterampilan
4.1. Membuat rangkaian dengan menggunakan FET dan MOSFET sebagai penguat
daya
C.
INDIKATOR PENCAPAIAN KOMPETENSI
1.
Indikator KD pada KI
pengetahuan
3.1.1 Menginterpretasikan (C2) karakteristik FET, MOSFET
3.1.2 Mengklasifikasikan (C3) FET,MOSFET sebagai penguat daya
2.
Indikator KD pada KI
keterampilan
4.1.1
Mengumpulkan
(P1) data karakteristik FET, MOSFET untuk penguat daya
4.1.2
Melakukan (P2) pengukuran FET,MOSFET sebagai penguat daya.
D.
TUJUAN PEMBELAJARAN
3.1.1
Setelah menggali informasi melalui
video yang ditayangkan, peserta didik mampu menginterpretasikan (C2) karakteristik FET, MOSFET
secara jujur.
3.1.2
Melalui diskusi dan pengamatan Peserta
didik mampu Mengklasifikasikan (C3) FET,MOSFET sebagai penguat daya secara kerjasama
dan kreatif.
4.1.1.
Disajikan
gambar bentuk dan symbol, peserta didik mampu Mengumpulkan (P1) data
karakteristik FET, MOSFET sebagai penguat daya dengan kreatif
4.1.2.
Diberikan jobsheet (lembar kerja),
Peserta Didik mampu Melakukan (P2) pengukuran FET,MOSFET sebagai penguat daya
secara
mandiri.
E.
MATERI PEMBELAJARAN
JFET dan MOSFET
Transistor Bipolar
dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi) muatan yang berbeda yaitu
elektron sebagai pembawa muatan negatif dan hole sebagai pembawa muatan
positif. Ada satu jenis transistor lain yang dinamakan FET (Field Efect
Transistor). Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar, transistor
FET bekerja bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu elektron atau hole.
Karena hanya bergantung pada
satu pembawa muatan saja, transistor ini disebut komponen unipolar.
Umumnya untuk aplikasi linear, transistor
bipolar lebih disukai, namun transistor FET sering digunakan juga karena
memiliki impedansi input (input impedance) yang sangat besar. Terutama jika
digunakan sebagai switch, FET lebih baik karena resistansi dan disipasi
dayanya yang kecil.
Ada
dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET
(metal-oxide semiconductor FET).
Pada dasarnya kedua jenis transistor memiliki prinsip kerja yang sama,
namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan karakteristiknya.
TRANSISTOR JFET
Gambar
dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p. Kanal n
dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor
tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source.
Pada kedua sisi kiri dan
kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal
kedua sisi implant ini terhubung satu dengan lainnya secara internal dan
dinamakan Gate.
Struktur
JFET (a) kanal-n (b) kanal-p
Istilah
field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip
kerja transistor ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion
layer). Lapisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe n dan tipe p,
karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa
membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada
gambar di atas, lapisan deplesi ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri
dan kanan.
JFET kanal-n
Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih
jauh akan ditinjau transistor JFET
kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n
dan Gate dengan tipe p. Gambar berikut menunjukkan bagaimana transistor
ini di beri tegangan bias. Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan
reverse bias atau disebut bias negatif. Tegangan bias negatif
berarti tegangan gate lebih negatif terhadap source. Perlu catatan, Kedua gate
terhubung satu dengan lainnya (tidak tampak dalam gambar).
Lapisan deplesi jika
gate-source biberi bias negatif
Dari
gambar di atas, elektron yang mengalir dari source menuju drain harus melewati
lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi berfungsi semacan keran air. Banyaknya
elektron yang mengalir dari source menuju drain tergantung dari ketebalan
lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan
gate terhadap source.
Jika
gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat
menyentuh drain dan source. Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada arus
yang dapat mengalir atau sangat kecil sekali. Jadi jika tegangan gate semakin
negatif terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain
dan source.
Lapisan deplesi pada
saat tegangan gate-source = 0 volt
Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif
perlahan-lahan dinaikkan sampai sama dengan tegangan Source. Ternyata lapisan
deplesi mengecil hingga sampai suatu saat terdapat celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui celah sempit ini dan
terjadilah konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini adalah
arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain terhadap source. Hal
ini karena celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi.
Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya
positif maka gate-source tidak lain hanya sebagai
dioda.
Karena tegangan bias yang negatif, maka arus gate
yang disebut IG akan sangat kecil sekali. Dapat dimengerti resistansi
input (input impedance) gate akan sangat besar. Impedansi input
transistor FET umumnya bisa mencapai satuan MOhm. Sebuah transistor JFET
diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate 4 V, maka dari
hukum Ohm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah :
Rin
= 4V/2nA = 2000 Mohm
Simbol JFET
Untuk
mengambarkan JFET pada skema rangkaian elektronika, bisa dipakai simbol
seperti pada gambar di bawah berikut.
Simbol
komponen (a)JFET-n (b)JFET-p
Karena struktur yang sama, terminal drain dan source
untuk aplikasi frekuensi rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak
demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi
tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dengan drain dan juga
antara gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan
kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.
JFET kanal-p
Transistor
JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja kanal
yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan
dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n.
Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang
berbeda.
Kurva Drain
Gambar
berikut adalah bagaimana transitor JFET diberi bias. Kali ini digambar dengan menggunakan simbol JFET.
Gambar (a) adalah jika diberi bias negatif dan gambar (b) jika gate dan source
dihubung singkat.
Tegangan bias
transistor JFET-n
TRANSISTOR MOSFET
Mirip seperti JFET, transistor MOSFET
(Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate. Namun
perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti
aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide.
Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET
yaitu insulated-gate FET.
Ada dua jenis
MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis enhancement-mode.
Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk
IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro
processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat
ini.
MOSFET Depletion-mode
Gambar berikut
menunjukkan struktur dari transistor jenis ini. Pada sebuah kanal semikonduktor
tipe n terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit celah. Dengan
demikian diharapkan elektron akan mengalir dari source menuju drain melalui
celah sempit ini. Gate terbuat dari metal (seperti aluminium) dan terisolasi
oleh bahan oksida tipis SiO2 yang tidak lain adalah kaca.
struktur MOSFET
depletion-mode
Semikonduktor
tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya dihubung singkat dengan source.
Ingat seperti pada transistor JFET lapisan deplesi mulai membuka jika VGS
= 0.
Dengan menghubung singkat subtrat p
dengan source diharapkan ketebalan lapisan deplesi yang terbentuk
antara subtrat dengan kanal adalah maksimum. Sehingga ketebalan lapisan deplesi
selanjutnya hanya akan ditentukan oleh tegangan gate terhadap source. Pada
gambar, lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daerah yang
berwarna kuning.
Semakin negatif tegangan gate
terhadap source, akan semakin kecil arus drain yang bisa lewat atau bahkan
menjadi 0 pada tegangan negatif tertentu. Karena lapisan deplesi telah menutup
kanal. Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan tegangan source,
arus akan mengalir. Karena
lapisan deplesi muali membuka. Sampai di sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-mode
tidak berbeda dengan transistor JFET.
Karena gate
yang terisolasi, tegangan kerja VGS boleh positif. Jika VGS
semakin positif, arus elektron yang mengalir dapat semakin besar. Di sini letak
perbedaannya dengan JFET, transistor MOSFET depletion-mode bisa bekerja
sampai tegangan gate positif.
F.
PENDEKATAN, STRATEGI DAN MODEL
Pendekatan :
Saintifik
Strategi/Metode :
diskusi, penggalian informasi, motivasi dan penguatan
Model : Discovery Learning
G. KEGIATAN PEMBELAJARAN
Pertemuan Ke-1
|
Kegiatan
|
Deskripsi
|
Alokasi Waktu
|
|
Pendahuluan
|
1)
Mengkondisikan suasana belajar yang
menyenangkan
2)
Membaca doa sebelum memulai pembelajaran
3)
Mendiskusikan kompetensi yang telah dipelajari
dan dikembangkan sebelumnya terkait dengan kompetensi yang akan dipelajari.
4)
Menyampaikan kompetensi yang akan dicapai dan
manfaatnya bagi kehidupan.
5)
Menyampaikan garis besar cakupan materi dan
kegiatan yang akan dilakukan.
6)
Menyampaikan lingkup dan teknik penilaian yang akan digunakan
|
15 Menit
|
|
Inti
|
1)
Pemberian
stimulus terhadap Peserta Didik. (Mengamati)
Peserta
Didik mengamati teks dialog yang di tayangkan guru tentang menginterpretasikan, mengklasifikasikan, Mengumpulkan data dan melakukan
pengukuran FET, MOSFET sebagai penguat daya dengan Disiplin dan Rasa Ingin Tahu
2)
Identifikasi masalah ( Menanya)
Peserta
Didik bertanya jawab untuk menginterpretasikan,
mengklasifikasikan, Mengumpulkan data dan melakukan pengukuran FET, MOSFET
sebagai penguat daya dengan Toleransi dan Mandiri
3)
Pengumpulan
data (Mengumpulkan informasi)
Peserta
Didik diberikan projectboard, alat
dan bahan serta jobsheet untuk menginterpretasikan, mengklasifikasikan, Mengumpulkan
data dan melakukan pengukuran FET, MOSFET sebagai penguat daya dengan tanggung
jawab dan kreatif
4)
Pembuktian ( Mengasosiasi)
Peserta Didik membuktikan
hasil menginterpretasikan karakteristik, mengkalisikasikan, Mengumpulkan data
karakteristik, serta melakukan
pengukuran FET, MOSFET sebagai penguat daya dengan tanggung jawab dan disiplin.
5)
Menarik Kesimpulan
(Mengkomunikasikan)
Membuat laporan dan mempresentasikan hasil menginterpretasikan, mengklasifikasikan, Mengumpulkan data dan melakukan
pengukuran FET, MOSFET sebagai penguat daya dengan tanggung jawab
|
240 Menit
|
|
Penutup
|
1)
Membuat rangkuman/simpulan pelajaran.
2)
Refleksi terhadap kegiatan yang sudah
dilaksanakan.
3)
Merencanakan kegiatan tindak lanjut dalam
bentuk tugas kelompok/ perseorangan (jika diperlukan).
4)
Mengkonfirmasi nilai karakter yang muncul
dalam proses pembelajaraan
5)
Menyampaikan rencana pembelajaran pada
pertemuan berikutnya.
|
15 Menit
|
H. ALAT/BAHAN DAN MEDIA
PEMBELAJARAN
Alat :
Infokus, Laptop, Audio, Project Board, Multitester, Power Supply
Bahan : Materi Power
Point, Komponen Praktek, Tayangan Video
Media
Pembelajaran : Buku Modul, Internet,
Jobsheet, dll
I. SUMBER BELAJAR
1)
Buku Modul
2)
Handout
3)
Internet
J. PENILAIAN PEMBELAJARAN
1.
Teknik Penilaian
a.
Penilaian sikap : Penilaian tidak langsung
(indirect) untuk penguatan Karakter (melalui observasi)
b.
Penilaian Pengetahuan : Test Tulis Pilihan Ganda dan Uraian
c.
Penilaian keterampilan : Demonstrasi dan Presentasi
2.
Instrumen Penilaian
1) Penilaian Ranah Sikap
2) Penilaian Ranah Pengetahuan
3) Penilaian Ranah
Keterampilan
K.
TUGAS
1.
Tugas Terstuktur : Peserta Didik membuat tugas laporan praktik
dikumpulkan di akhir pembelajaran
2.
Tugas Mandiri : Peserta Didik membuat makalah di
kumpulkan sesuai kesepakatan guru dan Peserta Didik
L.
PROGRAM REMEDIAL DAN PENGAYAAN
1)
PROGRAM REMEDIAL
1.
Remedial
Klasikal, dilakukan apabila hasil ulangan 60 % Peserta Didik atau lebih
nilainya dibawah KKM, dengan teknis sebagai berikut :
a.
Diberikan
pembelajaran ulang dengan metode dan
media yang berbeda
b.
Belajar
Kelompok dengan bimbingan tutor sebaya.
c.
Mengikuti
ulangan remedial dengan soal yang sama atau sejenis
2.
Remedial
Individual, dilakukan apabila hasil ulangan 40%
nilainya dibawah KKM, dengan teknis sebagai berikut :
a.
Diberikan
pembelajaran mandiri dengan bimbingan khusus per kelompok
b.
Belajar
Kelompok dengan bimbingan tutor sebaya.
c.
Pemberian
tugas/latihan individu
d.
Mengikuti
ulangan remedial dengan soal yang sama atau sejenis
2)
PROGRAM PENGAYAAN
1.
Pengayaan
Kelompok, dilakukan apabila dengan teknis sebagai berikut :
a.
Dibentuk 3
Kelompok besar, Kelompok A Peserta Didik yang lulus dengan nilai diatas 81,
Kelompok B, Peserta Didik yang lulus dengan nilai 75 sd 80 dan Kelompok C Peserta
Didik yang tidak lulus atau yang memiliki nilai di bawah KKM
b.
Jika Kelompok
B berjumlah 45 % atau lebih, di bagi beberapa kolompok belajar mandiri
c.
Pemberian
tugas/latihan kelompok
d.
Pemberian
Kriteria Penilaian Tambahan, maximal 5 Point per 1 KD
2.
Pengayaan
Individual, dilakukan apabila hasil ulangan 44 % ke bawah yang nilainya diatas KKM, dengan
teknis sebagai berikut :
a.
Kelompok B
yang berjumlah 44% atau kurang di bagi kelompok kecil atau individual belajar
mandiri
b.
Pemberian
tugas/latihan individu
c.
Pemberian
Nilai sesuai dengan kriteria penambahan nilai pengayaan, maximal 5 Point per 1
KD
|
Mengetahui,
|
|
Karawang, Juni 2019
|
|
Kepala SMKN 1 Karawang
|
|
Guru Bidang Studi
|
|
|
|
|
|
Drs. Agus Rukmawan,
S.IP, MM.
|
|
Ayung Suryana,
S.Pd.
|
|
NIP. 19611111
198603 1 008
|
|
NIP. -
|
LEMBAR PENILAIAN SIKAP
Nama Sekolah :
SMK NEGERI 1 KARAWANG
Mata Pelajaran : Penerapan
Rangkaian Elektronika
Komp. Keahlian : Teknik
Elektronika Industri
Kelas/Semester : XI
( sebelas)
/ Semester 3
Materi Pokok : FET dan MOSFET Sebagai
Penguat Daya
Pertemuan Ke : 1
a.
Tabel Penilaian Sikap
|
No.
|
Nama
|
Aspek Penilaian
|
Nilai
Akhir
|
||||
|
Jujur
|
Disiplin
|
Tanggunag jawab
|
Toleransi
|
Kreatif
|
|||
|
1
|
|
||||||
|
2
|
|
||||||
|
3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10
|
|
|
|
|
|
|
|
|
11
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12
|
|
|
|
|
|
|
|
|
13
|
|
|
|
|
|
|
|
|
14
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16
|
|
|
|
|
|
|
|
|
17
|
|
|
|
|
|
|
|
|
18
|
|
|
|
|
|
|
|
|
19
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20
|
|
|
|
|
|
|
|
b.
Skor Penilaian Sikap
|
Skor
|
Predikat
|
|
1
|
Sangat
Kurang
|
|
2
|
Kurang
|
|
3
|
Cukup
|
|
4
|
Baik
|
|
5
|
Amat
Baik
|
LEMBAR PENILAIAN PENGETAHUAN
Jawablah pertanyaan dibawah
ini dengan tepat!
1.
Sebutkan fungsi dari FET
dan MOSFET !
2.
Gambarkan symbol dan
bentuk FET dan MOSFET!
3.
Jelaskan karakteristik
dari FET!
4.
Jelaskan karakteristik
dari MOSFET!
5.
Gambakan skema rangkaian
yang menggunakan komponen FET/MOSFET sebagai Penguat daya!
LEMBAR PENILAIAN KETERAMPILAN
a.
Skema Rangkaian
Langkah Kerja :
1.
Siapkan
komponen sesuai dengan skema rangkaian di atas
2.
Periksa
komponen yang telah disiapkan dengan meng uji joba setiap komponen
3.
Rakitlah
komponen tersebut sesuai Skema rangkaian pada Project board
4.
Laporkan
ke guru bidang study sebelum dihubungkan pada power supply
5.
Lakukan
pengukuran tegangan dan hambatan pada titik komponen yang telah di tentukan
6.
Catat
hasil nya pada Tabel yang telah di sediakan
b.
Tabel Penilaian Keterampilan
|
No
|
Nama
|
Aspek Penilaian
|
Jumlah Skor
|
Nilai
|
||||
|
a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
||||
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
11
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
13
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
14
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
17
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
18
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
19
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20
|
|
|
|
|
|
|
|
|
c.
Aspek yang di nilai
a.
Keselamatan
Kerja
b.
Ketepatan
langkah kerja
c.
Keterampilan
menunjukan
komponen-komponen FET dan MOSFET
d.
Keterampilan
menjelaskan
fungsi komponen FET dan MOSFET
e.
Keterampilan
membereskan dan membersihkan alat dan bahan
Skala penilaian dibuat dengan rentangan dari 1
s/d 5.
Penafsiran angka : 0
=0, 1=20, 2=40, 3=60, 4=80, 5=100
|
NAMA
SISWA
|
JUDUL
PRAKTIK
|
NAMA
GURU
|
|
1.
|
MERAKIT
DAN MENGUKUR MOSFET
SEBAGAI
PENGUAT DAYA
|
|
|
2.
|
||
|
3.
|
TANGGAL
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
A.
TEORI
DASAR
MOSFET adalah sebuah perangkat
semikonduktor yang secara umum digunakan sebagai saklar dan sebagai penguat
daya pada perangkat elektronika. MOSFET adalah inti dari sebuah IC yang di
desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukuran nya sangat kecil.
MOSFET memiliki tiga kaki terminal yaitu Source (S), Gate (G) dan Drain (D).
MOSFET bekerja secara elektronik
memvariasikan sepanjang jalur pembawa muatan (electron atau hole). Muatan listrik
masuk melalui Saluran pada Source dan keluar melalui Drain. Lebar Saluran
dikendalikan oleh tegangan pada electroda yang disebut dengan Gate atau gerbang
yang terletak antara Source dan Drain.
B.
RANGKAIAN
C.
LANGKAH
KERJA
1.
Siapkan komponen sesuai
dengan skema rangkaian di atas
2.
Periksa komponen yang
telah disiapkan dengan meng uji joba setiap komponen
3.
Rakitlah komponen
tersebut sesuai Skema rangkaian pada Project board
4.
Laporkan ke guru bidang
study sebelum dihubungkan pada power supply
5.
Lakukan pengukuran tegangan
dan hambatan pada titik komponen yang telah di tentukan
6.
Catat hasil nya pada
Tabel yang telah di sediakan
D.
HASIL
PRAKTEK
Hasil Praktek Pengukuran Tegangan
dan Kuat Arus Listrik
|
NO
|
TITIK
PENGUKURAN
|
HAMBATAN
|
TEGANGAN
|
ARUS
|
KET.
|
|
1
|
RS
|
|
|
|
|
|
2
|
RL
|
|
|
|
|
|
3
|
Mosfet GD
|
|
|
|
|
|
4
|
Mosfet GS
|
|
|
|
|
|
5
|
Mosfet DS
|
|
|
|
|
E.
PERTANYAAN
Jawablah pertanyaan dibawah ini dengan tepat !
1.
Jelaskan cara kerja dari rangkaian
diatas!
2.
Jelaskan fungsi dan cara kerja dari
semua komponen yang ada di rangkaian!
3.
Buatlah gambar layout dan tata letak
dari rangkaian diatas!
F.
KESIMPULAN
Buatlah
hasil kesimpulan dari praktek yang telah siswa lakukan !
Komentar